据《每日经济》11月21日报道，SK海力士开始量产下一代存储设备“321层NAND闪存”。在全球存储企业普遍停留在200多层生产阶段的情况下，SK海力士正快速推进，抢占高性能存储市场。

21日，SK海力士宣布启动“321层1Tb（约128GB）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存”的量产，计划从明年上半年起稳定向客户供应。

此次量产备受关注的关键在于“层数”。NAND企业一直在进行所谓的“层数竞争”。去年6月，SK海力士推出238层产品，而今年4月，三星电子宣布量产286层NAND。